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Smartphone del futuro? Il futuro promette molto bene con un nuovo tipo di memoria ancora in sviluppo : RRAM

 

La RRAM (nota anche come ReRAM o OxRAM), sigla di Resistive Random Access Memory, è un tipo di memoria permanente attualmente in fase di sviluppo, in cui l'informazione memorizzata è associata alla resistenza di un sottile film di materiale commutabile elettricamente.

 

 

La memoria RRAM è stata inventata ed è attualmente in sviluppo dalla startup Crossbar.

La Crossbar è l'inventore di una nuova tipologia di memoria non-volatile, la tecnologia RRAM è in grado di contenere 1 terabyte di dati (TB) su un chip delle dimensioni di un francobollo.

La RRAM forse andrà a sostituire le attuali NAND Flash poichè possiede un' elevata autonomia, ridotto consumo di energia e una maggiore capacità e velocità.

Con questa nuova memoria la batteria del nostro smartphone durerà 10/20 volte di più grazie al suo bassissimo consumo di risorse, consumerà 10/20 volte meno, sarà 10/20 volte più capiente, sarà 10/20 volte più veloce e avrà una dimensione ridotta.

Grazie alla sua semplice struttura, RRAM può essere inserita su più strati all'interno dello stesso chip, consentendo addirittura anche più di 1TB di memoria all'interno dello stesso package. I vari strati sono controllati da un altro singolo chip, caratteristica che Crossbar definisce come esclusiva.

Il successo sta nella base delle RRAM, composte da una struttura a sandwich a strati sovrapposti di barre di materiale conduttore disposte a croce, su una piastra di silicio.

I produttori anticipano che la nuova potente memoria giungerà sul mercato intorno al 2015/2016.

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Autore: Antonio Liggieri
Esperto di computer e in sicurezza informatica, webmaster, webdesigner, webdeveloper e webmarketer. Sono il fondatore di WORCOM. Amo l'informatica, le arti marziali e il bodybuilding.


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